在当今高速发展的光通信领域,三芯石英光纤作为关键的传输介质,其性能优劣直接影响着通信质量。其中,光纤损耗这一重要的光学特性,一直是行业关注的焦点。光纤损耗,简单来说,就是在光信号通过三芯石英光纤传输过程中,由于多种因素导致光功率的降低现象。深入研究光纤损耗的类型、产生机理以及影响因素,对于推动低损耗乃至超低损耗三芯石英光纤的研发,具有至关重要的意义。
光纤损耗主要分为固有损耗和使用过程中的附加损耗。固有损耗又可细分为本征损耗和非本征损耗。本征损耗由三芯石英光纤材料本身的内在结构决定,是不可消除的,它决定了光纤损耗的下限,主要包括瑞利散射损耗、紫外吸收损耗和红外吸收损耗等。而非本征损耗则是由三芯石英光纤结构缺陷和杂质引起的吸收损耗。使用过程中的附加损耗涵盖了氢损、应力损耗以及弯曲损耗等。
本征损耗
瑞利散射损耗:在波长600nm - 1600nm波段时,三芯石英光纤的损耗主要源于瑞利散射,它在光纤总传输损耗影响因素中占比高达50% - 85%。瑞利散射强度受掺杂元素和掺杂量的影响,随着掺杂量的增加而增大,其表达式为[具体公式],其中系数A与光纤折射率相关。
紫外吸收损耗:这种损耗是由光与石英玻璃材料价带中的电子相互作用,导致电子跃迁造成的,符合乌尔巴赫定则,可用公式[具体公式]表示,其中C0是经验常数,λ0是紫外本征吸收波长,λ是入射光波长。
红外吸收损耗:它是由玻璃材料中的化学键分子振动引起的,光与化学键相互作用,将能量传递给化学键,转化为伸缩振动的能量,其公式为[具体公式],C0同样是经验常数,λ0是红外本征吸收波长,λ为入射光波长。
非本征吸收损耗
光纤结构缺陷:三芯石英光纤的结构缺陷由光纤预制棒的制棒工艺和拉丝工艺造成。石英玻璃的结构缺陷按尺寸可分为三类:宏观缺陷,如气泡、析晶、杂质颗粒等;纳米级亚微结构缺陷,主要是玻璃分相;微观结构缺陷,即玻璃结构晶格结构缺陷,包括晶格网络结构本身的缺陷和杂质元素。随着原材料纯度和光棒制造工艺的提升,宏观缺陷和亚微结构缺陷已基本消除,目前三芯石英光纤的结构缺陷主要是微观结构缺陷。
羟基的影响:微观结构缺陷中对三芯石英光纤传输波段影响最大的是羟基。羟基在近红外波段有若干振动吸收峰,其基波吸收峰在2730nm,二次谐波吸收峰在1383nm,三次谐波吸收峰在950nm。在光纤传输波段中,远离1383nm的区域,羟基引起的吸收损耗影响较小,例如在1310nm和1550nm处,羟基引起的吸收损耗分别仅为1383nm处的0.02倍和0.004倍。
过渡金属元素杂质:三芯石英光纤中的铁、钴、镍、铜、锰、铬、钒等过渡金属元素杂质也是造成非本征吸收损耗的重要原因之一。这些过渡金属元素一般以离子形式存在于光纤材料中,因其存在α电子结构,具有变形大、变价多的特点,在光的激发下,α电子容易在不同轨道间跃迁,从而导致光的吸收,造成非本征吸收损耗。目前的光纤制造工艺已能将过渡金属的浓度降到极低水平。
氢引起的吸收损耗
氢损的产生:三芯石英光纤在使用过程中,光缆结构材料和环境中的氢会扩散进入光纤,引起附加损耗,即氢损。氢分子在室温下即可通过渗透作用扩散进入三芯石英光纤,其扩散过程可用公式[具体公式]表示,其中C是光纤中氢的浓度,t是扩散时间,D是氢的扩散系数,r是扩散距离。
损耗增加的因素:光纤损耗增加主要由两个因素导致,一是氢气分子的高次振动模,其吸收峰在1080nm、1130nm、1170nm、1240nm、1590nm、1630nm等,其中1240nm的吸收峰最为显著;二是氢气与缺陷的反应产物的特征吸收峰。氢气分子主要与三芯石英光纤中非桥氧空心缺陷(Si - O··O - Si,NBOHCs,吸收峰630nm)和Si - E’心缺陷(吸收峰215nm、630nm)发生化学作用,且这两种缺陷在富氧过程中有增加趋势。反应产物中,Si - O - H和Si - O - O - H的特征吸收峰在1383nm,Si - H的特征吸收峰在1530nm,这两个波长分别位于E波段和L波段,会影响三芯石英光纤的传输性能。
氢损的特性:化学反应[具体反应式]是不可逆反应,产生的衰减增加是永久性的;化学反应[具体反应式]是可逆反应,可发生自愈反应,重新析出氢气,但产生的衰减会降低,降低幅度有限。对于纤芯掺GeO2的三芯石英光纤,会形成永久性的Ge - O - H,吸收峰在1410nm,其浓度很小,与Si - O - H的吸收峰叠加。三芯石英光纤在成缆前会通过氢损试验来验证其抗氢老化损耗的能力,经过氢损试验后,光纤在1240nm、1383nm、1530nm波长会产生附加衰减峰。将三芯石英光纤重新放回无氢气环境中,氢气会慢慢扩散出光纤,一段时间后,1240nm附加衰减会减弱直至消失,1383nm、1530nm的附加衰减相对稳定,由于第二个化学反应会发生自愈反应,这两个波段的附加衰减会有轻微下降。此外,三芯石英光纤还可以通过氘气处理来消除导致氢损的缺陷,从而保证1383nm衰减的稳定。对于掺锗三芯石英光纤,在较高温度下氢扩散进入光纤与光纤结构缺陷相互作用,会产生短波吸收边(SWE),SWE效应吸收损耗主要在波长低于1μm的短波段,但也会在1310nm和1550nm处产生吸收损耗增加。
应力引起的光纤损耗
应力的来源:应力是造成三芯石英光纤损耗的重要影响因素之一,光纤在使用过程中,应力来源于材料本身的内应力和光纤受到外力产生的应力。光纤材料本身的内应力包括热应力、结构应力和机械应力。
应力导致损耗的原理:应力会导致三芯石英光纤材料密度不均匀,从而引起散射损耗,其公式为[具体公式],其中λ为波长,n为折射率,p为光弹性系数,βT为等温压缩系数,Tf为假想温度,k为玻尔兹曼常数,且Tf与密度波动有关。
内应力的影响因素:内应力取决于制棒工艺和拉丝工艺。以VAD + OVD的制棒工艺为例,对光棒应力水平产生重要影响的因素包括VAD疏松体的密度、VAD母棒烧结温度及温度变化速率、母棒拉伸温度和张力、OVD疏松体密度、OVD烧结温度及温度变化速率、退火工艺等。通过优化这些工艺可以降低内应力。拉丝应力的影响因素包括拉丝张力F、拉丝温度T和拉丝速度v,这三种因素相互关联影响,其关系可表示为[具体公式],其中A表示拉丝锥部的横截面积,η表示石英黏度,与温度T相关。在高速拉丝中三芯石英光纤内部的残余应力随着拉丝张力F的增加而增大,其关系为[具体公式],E为弹性模量,下标1、2分别表示芯层和包层。此外,基于光弹性效应,当玻璃受到压应力和拉应力时,折射率会发生变化,从而对三芯石英光纤衰减产生影响,其公式为[具体公式],Ca和Cb为沿应力方向和垂直应力方向的光弹性系数。三芯石英光纤由高温冷却至室温时,光纤结构中高膨胀系数部分呈现收缩趋势,低膨胀系数部分呈现紧缩趋势,从而使纤芯部分受到拉应力,而包层部分受到压应力。三芯石英光纤在受到不同类别的应力时,其结构会产生微小形变,这种形变会造成光纤内部折射率产生微小突变,进而影响光纤衰减。张良等人的研究表明,应用三芯石英光纤的退火工艺能够改善光纤内部应力,从而改善光纤的衰减损耗、翘曲特性和光纤脆性。宋海瑞等人的研究也表明,三芯石英光纤拉丝速度、退火炉位置、内涂层模量和直径、涂层固化速度等工艺参数对光纤损耗有显著影响。
弯曲损耗
弯曲损耗的本质:三芯石英光纤在成缆和敷设过程中会引入附加衰减,其中主要原因是光纤弯曲。随着FTTx的快速发展,三芯石英光纤的应用场景愈发复杂,对光纤弯曲损耗的性能要求也越来越高。三芯石英光纤的弯曲损耗本质上是光不满足全内反射条件造成的,包括宏弯损耗和微弯损耗。
宏弯损耗:当三芯石英光纤弯曲时,光在弯曲部分传输,为保持同相位的电磁场在一个平面里,传导模的平面波前必须以弯曲光纤的曲率中心为旋转中心,越靠近外侧,其沿光纤轴的纵向速度必须越大,当超过某个临界曲率时,相速度就会大于包层平面波的相速度,传导模就会变成辐射模,从而引起光束功率的损耗,这就是宏弯损耗。对于折射率突变型单模三芯石英光纤,弯曲损耗可以用公式[具体公式]表示,其中λ为工作波长,λcf为截止波长,∆为光纤芯包层相对折射率差,可见弯曲损耗主要取决于弯曲半径、折射率差和比值λ/λc。
微弯损耗:微弯曲是指三芯石英光纤在正常(直的)位置附近以微小偏移做随机振荡,尽管偏移量小(曲率半径可以和光纤的横截面尺寸相比拟),但振荡周期一般也很小,因而可能发生急剧的局部弯曲。微弯主要是制造和安装过程中应变以及温度变化引起光缆材料尺寸变化形成的。对于给定的截止波长和工作波长,微弯损耗与折射率差有很强的相依关系。薛梦驰的研究表明,三芯石英光纤弯曲损耗受诸多因素影响,主要影响因素是光纤芯包相对折射率差、截止波长和工作波长。同时,弯曲损耗还会影响三芯石英光纤的其他性能,如截止波长、高功率激光注入、存储寿命等,因此在三芯石英光纤设计时,需要统筹考虑与光纤弯曲损耗有关的各个方面。
在当今通信技术不断演进的背景下,低损耗和大容量已成为三芯石英光纤发展的必然趋势。在未来400G及更高的通信传输系统中,三芯石英光纤损耗的降低能够极大地降低整个系统建设和维护成本。景颐光电一直致力于光通信领域研究与创新,在三芯石英光纤损耗研究方面投入大量精力,通过不断优化光纤制造工艺和检测技术,努力降低三芯石英光纤损耗,提升光纤性能。例如,景颐光电采用合适的制棒工艺和拉丝技术,有效控制三芯石英光纤的结构缺陷和内应力,同时研发出高精度的三芯石英光纤损耗检测设备,能够准确测量三芯石英光纤在不同波段的损耗情况,为三芯石英光纤的质量控制和性能优化提供有力支持。
三芯石英光纤损耗类型多样,影响因素复杂,涉及光纤制造和使用的各个环节。深入研究三芯石英光纤损耗的机理及其影响因素,不仅有助于提高三芯石英光纤的传输性能,推动光通信技术发展,还为景颐光电等企业在三芯石英光纤研发和生产方面提供重要的理论依据和技术支持,对于促进整个光通信行业的进步具有重要意义。
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